| อุณหภูมิการทำงาน: | -55℃ ถึง +125℃ | บรรจุุภัณฑ์: | SMD/กรมทรัพย์สินทางปัญญา |
|---|---|---|---|
| ความแข็งแรงของอิเล็กทริก: | ≥3000VAC | อัตราผู้สูงอายุ: | ≤1% |
| การจัดอันดับพลังงาน: | 0.5W-10W | ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านรู |
| กระแสไฟรั่ว: | ≤0.1mA | ความต้านทานฉนวน: | ≥1000mΩ |
| แรงดันไฟฟ้าหนีบ (VC): | โดยการระบุค่าแรงดันไฟฟ้าที่กระแสการไหลเข้าซึ่งสะท้อนระดับการป้องกัน (เช่นการทดสอบภายใต้รูปคลื่น 8/20 | ความจุโฟลว์ (IP: | กระแสการไหลเข้าสูงสุดเพื่อทนต่อ (เช่น 10ka ภายใต้รูปคลื่น 8/20μs |
| เน้น: | 7D511K วาริสตอร์โอกไซด์โลหะ,วาริสเตอร์ตัวเก็บประจุ 1pF-1000pF,วาริสเตอร์โมดูลพลังงานอุตสาหกรรม |
||
มีอัตราการแก่ตัว ≤ 1% และความอดทนต่อความต้านทาน ± 20% ออกแบบมาเพื่อป้องกันปลายทางการเข้า AC/DC ในโมดูลพลังงานอุตสาหกรรม
| คุณสมบัติ | มูลค่า |
|---|---|
| อุณหภูมิการทํางาน | -55°C ถึง +125°C |
| แพ็คเกจ | SMD/DIP |
| ความแข็งแรงแบบดียิเลคทริก | ≥ 3000VAC |
| อัตราการแก่ตัว | ≤ 1% |
| การจัดอันดับพลังงาน | 0.5W-10W |
| ประเภทการติดตั้ง | ผ่านรู |
| กระแสรั่ว | ≤0.1mA |
| ความต้านทานต่อการปิด | ≥ 1000MΩ |
| ความดันการจับ (Vc) | ค่าความดันที่ระบุในกระแสไฟฟ้าเข้า (ทดสอบภายใต้รูปคลื่น 8/20μs) |
| ความจุ (Ip) | ความแข็งแรงสูงสุดในการทนกระแสกระแส (เช่น 10kA ภายใต้รูปคลื่น 8/20μs) |
วาริสตอร์อ๊อกไซด์โลหะ (MOV) เป็นวาริสตอร์ที่ขึ้นอยู่กับความดัน (VDR) ที่ถูกออกแบบมาเพื่อปกป้องวงจรไฟฟ้าจากเหตุการณ์ความดันเกินส่วนประกอบนี้มีความสําคัญในการปกป้องอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ โดยการเลื่อนความแรงดันเกินไปจากส่วนประกอบที่รู้สึกไว.
คุณสมบัติหลักประกอบด้วย:
วาริสตอร์โอกไซด์โลหะ (แบรนด์ VDR) นี้มีให้เลือกในรุ่น 7D, 10D, 14D และ 20D ให้ความคุ้มกันความกระชับสูงเกินสําหรับ:
แต่ละวาริสตอร์ถูกปกป้องเป็นส่วนตัวในกระเป๋าพลาสติก และส่งในกล่องกระดาษแข็งแกร่ง
ชื่อแบรนด์คือ VDR
เลขรุ่นที่พร้อมคือ 7D, 10D, 14D และ 20D
ผลิตภัณฑ์นี้ถูกผลิตในจีน
มันป้องกันวงจรไฟฟ้าจากความแรงเกิน
ปกติจะออกแบบให้ใช้ครั้งเดียว หลังจากดูดซึมการกระตุ้นที่สําคัญ และควรเปลี่ยน
ผู้ติดต่อ: He
โทร: 86-13428425071
แฟกซ์: 86---88034843
